SRM 2842 半導(dǎo)體薄膜：Alx鎵1-xAs外延層(Al摩爾分?jǐn)?shù)x接近0.30)標(biāo)準(zhǔn)品

產(chǎn)品介紹

SRM 2842 半導(dǎo)體薄膜：AlxGa1-xAs外延層標(biāo)準(zhǔn)品 旨在用作測(cè)量薄膜成分的分析方法的參考標(biāo)準(zhǔn)，例如電子微探針分析 (EMPA)、光致發(fā)光 (PL)、俄歇電子能譜 (AES) 和 X 射線光電子能譜（XPS）。 SRM 2842 的一個(gè)單元由 AlxGa1-xAs 外延層組成，在安裝的砷化鎵 (GaAs) 襯底上生長經(jīng)過認(rèn)證的 Al 摩爾分?jǐn)?shù) x使用膠帶粘貼到不銹鋼圓盤上。每個(gè)單元都密封在含有氮?dú)鈿夥盏木埘ケ∧ば欧庵小Ｕ_使用 SRM 作為比較標(biāo)準(zhǔn)取決于分析方法（參見“測(cè)量條件和程序”和 NIST 特別出版物 260-163 [1]）。

儲(chǔ)存和搬運(yùn)：

AlGaAs是一種穩(wěn)定的化合物，但薄膜在儲(chǔ)存和搬運(yùn)過程中會(huì)受到表面污染和氧化。SRM 2842 半導(dǎo)體薄膜：AlxGa1-xAs外延層標(biāo)準(zhǔn)品應(yīng)存放在無塵氮?dú)猸h(huán)境中或低于50°C的真空溫度下。在運(yùn)輸?shù)椒治鱿到y(tǒng)或在分析系統(tǒng)中使用時(shí)，偶然暴露在空氣中不會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重污染，直到這種暴露超過數(shù)千小時(shí)。SRM應(yīng)由金屬安裝盤用干凈的非金屬鑷子處理，不得接觸半導(dǎo)體區(qū)域。半導(dǎo)體表面的顆粒污染物可以用去離子水或干燥的氮?dú)饬魅コ脩舯仨毚_認(rèn)沒有引入額外的污染物。用于將半導(dǎo)體安裝到不銹鋼盤上的膠帶可溶于異丙醇、丙酮和其他有機(jī)溶劑，使用這些溶劑可能會(huì)導(dǎo)致粘合劑或膠帶顆粒遷移到試樣表面。試樣表面的極端邊緣應(yīng)排除在分析之外。

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